产品详情
CPID2系列硅探测器
光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变,光电探测器能把光信号转换为电信号,根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同,光电探测器可分为光子探测器和热探测器

产品特点

◆探测器室设计标准安装尺寸,可与我公司的相关产品配套使用

◆其中CPID219采用日本进口滨松器件,CPID230采用国产高性能器件

技术参数

产品型号

CPID219紫外增强型硅探测器

CPID230普及型硅探测器

感光面积(Active Area)

100(10x10)mm²

100(10x10)mm²

波长使用范围(Spectral Range)

190~1100nm

300-1100nm

峰值波长(Peak Wavelength)

960nm

800±20nm

峰值波长响应度(Peak Re)

0.5AW

>0.4A/W

200nm的响应度(200nm Re)

0.1~0.12AW

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响应时间(Re Time)

3us

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工作作温度范围(Working Temperature)

-20~+60°C

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储存温度范围(Store Temperature)

-20~+80°C

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分流电阻(Shunt Resistance) RSH

200(>50)MQ

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等效噪声功率(NEP)

1.8x10-14W//Hz

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暗电流(Dark Current 25°C;-1V)

2X10-10A

1x10-8~5x10-11A

结电容(Terminal Capacitance)

1100pf(VR=0Vf=10kHz)

<3000pf(-10V)

重量(Weight)

0.18kg

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产品简介 :

光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变,光电探测器能把光信号转换为电信号,根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同,光电探测器可分为光子探测器和热探测器

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